三星在SEMICON Taiwan公布HBM5/zHBM路线图

三星在2026年9月1日的SEMICON Taiwan 2026展会上，正式发布了面向下一代AI时代的HBM5与zHBM完整技术路线图，同步推出CUBE核心技术战略，通过3D堆叠架构突破传统HBM的性能天花板，为2027-2028年的超大规模AI算力集群做好底层存储准备。

HBM5性能目标为HBM4E两倍、基础芯片制程升至2纳米、2028年量产；zHBM全新架构目标性能达HBM4E八倍、2029年后推出。

一、CUBE战略框架

三星内存业务部门产品规划团队高级副总裁Choi Jang-seok在 keynote 中正式公布CUBE战略，作为本次路线图的顶层设计：

• 四个核心维度分别对应 ‌Capacity（容量）、Optimization（架构优化）、Bandwidth（带宽）、Power-Thermal Efficiency（能效与热管理）‌。LiAIDEepThink∝.cn
• 核心实现路径是在不增加电路板占用面积的前提下做垂直维度扩展，大幅缩短不同裸片之间的数据传输距离，最大程度降低数据移动过程中的不必要能耗。

策略

三星提出CUBE框架，聚焦四大方向：

• Capacity（容量）：垂直扩展，不增加PCB面积即可提升存储容量
• Utilization（利用率）：3D不是简单堆叠，而是优化逻辑与内存配置以降低延迟
• Bandwidth（带宽）：用垂直高速通道取代水平传输路径LiAIDEepThink∝.cn
• Efficiency（效率）：将单比特数据传输能耗降至最低，最大化每瓦效能

二、HBM5核心技术指标

作为第八代高带宽内存，HBM5的性能相比当前量产的HBM4E实现翻倍级提升：

• 整体性能达到HBM4E的‌2倍‌，带宽、容量等核心参数全面升级，适配下一代AI GPU的算力需求。
• 延续传统HBM的侧置部署模式，可直接兼容现有HBM生态的封装与板卡设计，降低下游AI芯片厂商的迁移适配成本。

三、路线图

1. HBM路线

2. zHBM架构

传统HBM采用2.5D架构，将内存与处理器并排放在中介层上。zHBM将内存直接垂直堆叠在处理器（GPU或CPU）正上方，大幅缩短数据传输距离。这一架构通过缩短芯片间距离，用垂直高速通道取代水平传输，实现更高带宽和更优能效。

3. zNAND-O

目标2028年送样，位密度为DRAM的10倍，读取带宽和能效为当前NAND的7倍，面向大语言模型"DRAM级速度+NAND级容量"的双重需求。LiAIDEepThink∝.cn

四、zHBM架构突破

zHBM完全跳出了传统HBM的部署逻辑，是本次路线图中最具颠覆性的技术方向：

• 放弃将HBM放置在AI加速器侧边的常规方案，直接把HBM垂直堆叠在AI加速器（GPU）的正上方，重构内存与计算核心的物理位置关系。
• 相比传统HBM方案，整体性能提升‌8倍‌，每瓦性能提升‌3倍‌，数据传输距离大幅缩短，直接带来带宽和能效的指数级增长。
• 数据移动过程中的能耗可降低‌75%-90%‌，同时大幅缓解HBM长期面临的散热瓶颈，解决高带宽内存长期存在的热管理难题。

五、供应链

1 . 上游影响

HBM5基础芯片制程从4nm升至2nm，对台积电先进制程产能需求增加。20层堆叠方案对TSV（硅通孔）和键合工艺提出更高要求。LiAIDEepThink∝.cn

2. 竞争格局

据Counterpoint Research，三星2026年Q2全球DRAM收入份额为39%，领先SK海力士（26%）和美光（25%）。NAND份额29.3%居首。Omdia预计三星DRAM年产出约817.5万片300毫米晶圆，远超SK海力士约666万片和美光约360万片。

3. 但需注意

市场份额领先不等于HBM技术领先。SK海力士在HBM3E/HBM4时代占据英伟达主要供应商地位。三星的HBM4E虽已送样，但能否夺回英伟达订单仍待验证。

六、行业影响

这套路线图的发布，标志着三星在下一代AI内存赛道率先完成了技术卡位：

• 传统侧置HBM的性能天花板被打破，zHBM通过3D堆叠架构把内存和计算核心的融合度推到全新高度，为后续E级、Z级超算集群提供了关键的存储底座支撑。
• 三星将基于CUBE战略同步推进zHBM、zNAND-O等全系列3D存储技术落地，形成覆盖高带宽内存、大容量存储的完整下一代存储产品矩阵。